存储芯片巨头三星调整架构，HBM业务战略升级

11月27日，三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM（高带宽内存）特别开发团队正式解散，相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒Business Korea于11月28日披露，这一变动在三星高管通报会上正式官宣，标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。

此次调整的核心脉络清晰可见：原HBM团队负责人孙永秀副社长，将出任DRAM部门设计团队新负责人，带领原班人马继续深耕HBM4及HBM4E等下一代产品研发。这种“核心团队不变、业务归属调整”的模式，被业界解读为三星HBM业务的“战略升级”而非“战略收缩”。

回溯一年前，这支被称为“救火队”的独立团队诞生于三星的“被动时刻”。2023年5月，全永铉接任三星半导体（DS）部门负责人时，公司在HBM市场已明显落后于SK海力士——彼时SK海力士凭借近70%的全球市占率垄断高端市场，而三星因技术迭代滞后，在AI芯片配套的高带宽内存赛道几无话语权。为扭转颓势，三星于2023年7月紧急组建独立HBM团队，集中全公司顶尖研发资源专攻技术短板。

一年时间，这支“救火队”交出了亮眼成绩单。据供应链消息，三星已完成HBM4产品的核心技术验证，其堆叠层数提升至12层，带宽突破1TB/s，相较于当前主流的HBM3E性能提升超30%，且良率已稳定在可量产水平。更关键的是，三星实现了HBM与DRAM制造工艺的技术互通，其基于1αnm DRAM工艺改良的HBM生产线，可大幅降低生产成本，缩小与SK海力士的价格差距。

业界普遍认为，此次“回归”是三星的必然选择。HBM作为DRAM技术的高端延伸，与传统DRAM在材料、封装、制程等领域存在高度协同性。并入DRAM部门后，HBM研发可共享其成熟的供应链体系、测试设备及客户资源——例如，三星为英伟达GPU配套的DRAM产品渠道，将直接为HBM4的市场推广铺路。同时，技术底层的深度整合，能加速HBM与DDR5等产品的协同优化，更好适配AI服务器的“高带宽+大容量”存储需求。

当前，全球HBM市场正处于爆发前夜。随着AI大模型算力需求激增，2024年全球HBM市场规模已突破200亿美元，预计2025年将达到450亿美元。三星此时完成架构调整，无疑是为抢占下一代市场蓄力——在HBM4量产竞赛中，三星已从“追赶者”转变为“竞争者”，与SK海力士的直接对抗将进一步加剧。

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